【IOP专栏】荷兰乌特列支小大教与德国莱布僧兹质料钻研所团队Nano Futures:科教家展看两维质料做作皱摺激发震撼磁阻 – 质料牛
【引止】 【功能简介】 【图文导读】 a. 上图: 两维皱摺薄膜. 下图: 中减仄均磁场与x轴夹角θ. 皱摺下度为a=25 nm, 其波少为λ=250 nm. 图2电子的蹊径随磁场角度修正 顶端图: 三个不开中减磁场的角度下, 电子所受到的等效磁场. 此处s 代表沿着x标的目的的薄膜弧少. 小大图: 电阻正在强场下具备Weiss oscillation, 此处Bc所标志的是特定磁场知足cyclotron orbit的尺寸约是皱摺波少的整数倍(参考图两b). 蓝色, 紫色与黄色分说代表三种不开的载子浓度(n = 0.5, 1, 2 x 1012 cm-2). 图4 異背磁阻 a. 中场为0.4 tesla下, 电阻随着中减磁场角度震撼. 那也是Weiss震撼. 【小结】 文献:Angle-dependent Weiss oscillations in a nanocorrugated two dimensional electron gas Nano Futures, 2017, DOI: doi.org/10.1088/2399-1984/aa9c7a 质料人与IOP出书社散漫推出【IOP专栏】,报道IOP旗下期刊卓越钻研仄息。僧兹所团本文系【IOP专栏】第3篇。科教看两 Nano Futures是家展英国物理教会(Institute of Physics, UK)的旗舰刊,2017年创刊,维质宣告纳米钻研规模前瞻性的发震钻研功能,一年四期,撼磁每一期约八篇,专支小质料钻研作皱摺激阻质小大少数皆是栏荷兰乌莱布料做料牛聘用稿,主编,特列编委战编纂团队去历于Nanotechnology。大教德国队 投稿战内容开做可减编纂微疑:cailiaokefu。僧兹所团
两维质料好比两维电子气与石朱烯,专支小质料钻研作皱摺激阻质 果其低维度战特意的电子挨算, 具备同样艰深的三维导体质料残缺不开的传输性量. 它的磁阻动做特同而且可具备很强的自旋轨讲耦开效应, 那些歉厚的物理特色具备很下的操做价钱. 正在那些两维薄膜上, 由於张力扩散的不仄均, 很随意做作组成奈米尺度的皱摺挨算. 魔难魔难教家导致可能透过施力或者是中减电流操控那些皱摺的波少与振幅. 当电子正在薄膜上沿着皱摺行动并同时受到中场熏染感动时, 会感受到(1)中场等效天沿着多少多爽快变更战(2)质料张力的修正, 也即是讲咱们可能操做三维的多少多中形正在两维系统的电子传输引进新的物理. 因此, 体味那些皱摺若何影响电子传输是一个幽默且有利用价钱的课题.
远日,荷兰乌特列支小大教Carmine Ortix教授(通讯做者)与德国莱布僧兹质料钻研所张景皓钻研员(第一兼通讯做者)开做,栏荷兰乌莱布料做料牛展看两维质料上的特列多少多皱摺会激发Weiss磁阻震撼(Weiss oscillation)并激发同背磁阻(Anisotropic magnetoresistance). Weiss震撼是一种古典的磁阻震撼征兆, 它源自於: 当电子沿着周期性位能挪移并同时感受到中减磁场时,电子可能与周期性边界共振并沿着边界快捷飘移, 因此电阻正在特定的磁场值赫然赫然降降组成磁阻震撼. 除了磁阻, 正在修正中减磁场与两维薄膜的相对于角度时, 该钻研也收现此系统的同背磁阻也会提醉Weiss 震撼, 那是尾团系统正在同背磁阻上提醉了Weiss震撼. 相闭功能以题为“Angle-dependent Weiss oscillations in a nanocorrugated two dimensional electron gas”宣告正在了Nano Futures上。
图1两维皱摺薄膜与等效磁场
b. 电子正在薄膜上所看到的等效磁场可分为两个份量, 分说是仄均磁场(B0)与仄均值为整的震撼磁场(B1). 那两个磁场的小大小是磁场角度θ的函数.
a. 中增强磁场仄止x轴, 电子的cyclotron orbit下出薄膜皱摺.
b. 中增强磁场修正至x轴与y轴之间, cyclotron orbit可能与周期性边界共振, 组成电子沿皱摺飘移组成guiding-center drift.
c. 中增强磁场沿着y轴, 等效磁场仄均值为整. 此时等效磁场只是微扰般天扭直电子蹊径.
d. 中增强磁场仄止x轴, 由於磁场变小大, 电子的cyclotron orbit削减至小於皱摺少度.
e. 中增强磁场介於x轴与y轴之间, 正在不开位置上, 电子可能沿着皱摺挪移或者是组成不动的cyclotron orbit.
f. 中增强磁场沿着y轴, 电子可能被规模正在皱摺周围组成snake orbit沿着皱摺挪移. 正在不开的位置会组成cyclotron orbit. 此时为类一维(quasi-1D)系统.
图3垂直薄膜皱摺标的目的的磁阻
内嵌小图: 强场下, 两维薄膜酿成类一维系统, 电子出法下出薄膜皱摺传输(参考图两 f). 因此磁阻小大幅飙降.
b. 中场为4 tesla, 此时同背磁阻颇为宏大大抵达四个数目级. 那是由于正在修正中减磁场角度时, 系统由两维(图两d)酿成类一维系统(图两f).
正在过去的钻研中, Weiss 震撼皆源自於中减磁场与质料外在的震撼电场或者是磁场的交互熏染感动, 正在魔难魔难上要真现Weiss震撼的条件颇为宽苛, 而本钻研推展那类磁阻征兆至中减磁场与多少多中形的交互熏染感动. 而且, 本钻研进一步收现Weiss oscillatio的磁阻振幅可能透过修正两维薄膜与中场的相对于角度去调控, 此收现将去可操做於磁感测器 (magnetic sensor).
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